钽电容的制造过程详解

钽电容和铌电容是由微小的粉粒组成的。典型的粉粒直径在2~10微米之间。粉末被周围的高压压缩形成“颗粒”。转接卡线是电容器的阳极连接。随后进行高温真空烧结（一般为1200 - 1800℃），强大机械外力产生颗粒,烧结炉内除了粉末没有任何杂质。粉末在烧结过程中变得像海绵,所有的粒子在一个巨大的互连结构中。这种结构有高机械强度和大密度，造就了巨大的内部表面积即较大的容积比。容积比的单位是CV/克（每克电容电压的乘积）.因此容积比高的粉末，其中有一个低的平均粒径，用于低电压，高电容部分。选择其中粉和烧结温度是用来每个电容/电压等级的表面积可以控制的。
        下面的用一个220UF 6V电容作为示例加以说明。C = Ø RAð. 其中O是自由空间的介电（8.855× 10-12法拉/米）是相对介电常数=27，五氧化二钽=41铌五氧化二磷D是电介质厚度，以米为单位C是在法拉电容A是在米的表面面积重新排列这个方程给出：= CD O R从而为220UF/ 6V电容器的表面积为346平方米厘米，将近一半的时候这个页面的大小。电介质，然后形成了钽或铌通过电化学阳极氧化过程中氧化物表面。要激活此，钽电容浸入到一个非常薄弱的的解决方案磷酸。电介质厚度是由施加电压的控制在形成过程中。最初的电源是保持在一个恒定的电流模式，直到正确的厚度介质已达到（即电压达到鈥榝orming电压鈥，然后切换到恒压模式和电流衰减至接近零。

描述这一过程的化学方程式为如下：钽阳极：2打→2 TA5+10 E -2 TA5+10的OH -→钽+5水铌氧化物阳极：2 NBO→2 NbO3+ E -2 NbO3++ OH-→铌+3 H2O阴极：钽：10水 - 10 E→5H2+10 OHNiobium氧化物：6水 - 6 E -→3H2+6 OHThe氧化物，但它也长成的材料。对于每一个单位生长氧化三分之二和三分之一的增长。它是这个原因，有一个最高电压等级的限制与目前的钽和氧化铌电容技术粉末。介质下运作的高电应力。考虑220μF6V部分：形成形成电压=比X工作电压= 3.5× 6= 21伏特钽：五氧化二磷（钽）介质的速度增长1.7 ×10-9米/ V介电层厚度（D）= 21× 1.7 ×10-9= 0.036微米电场强度=工作电压/ D=167千伏/毫米AVX钽电容
    氧化铌（铌）介质的速度增长2.4 ×10-9米/ V介电层厚度（D）=21×2.4 ×10-9= 0.050微米电场强度=工作电压/ D=120千伏/毫米下一阶段是阴极板的生产。这是通过硝酸锰热解成二氧化锰。“颗粒”是硝酸盐水溶液和浸入然后在烤箱烤约250° C到生产二氧化碳大衣。化学方程式是：锰（NO3）2→二氧化锰+2NO2 - 这个过程重复几次通过不同硝酸盐的具体密度，建立厚厚的棉衣“沉淀”，所有内部和外部表面所示。二氧化锰层“沉淀”，然后蘸成石墨和银提供了良好的连接，以二氧化锰阴极板。电气接触是建立由沉积在阴极表面上的碳。碳然后涂上导电材料，以方便连接阴极终止（见图5）。包装进行，以满足个人的规范和客户要求。这种制造技术是坚持对整个，它可分为范围四个基本群体：芯片/树脂蘸/长方形盒装/钽电容的生产上的进一步信息可从技术文件“基本钽科技“，由约翰鳃，你可以询问本地钽电容封装。