钽电容阻抗(Z)和等效串联电阻（ESR）

钽电容的阻抗(Z)。
这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z。阻抗是在25° C和100kHz。

钽电容的等效串联电阻ESR。
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR。 ESR的频率依赖性和可利用的关系;ESR=谭δ2πfC其中F是赫兹的频率，C是电容法拉。ESR是在25 ° C和100kHz的测量。ESR是阻抗的因素之一，在高频率（100kHz和以上）就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。

钽电容的阻抗和ESR的频率依赖性。
ESR和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗（由于电容器的电抗）变得更加重要。除了1MHz的（和超越电容的谐振点）阻抗再次增加由于电感，电容的。典型ESR和阻抗值是类似的钽，铌氧化物材料，从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap®电容器。

AVX代理商谈钽电容的阻抗与温度的关系
和ESR。在100kHz，阻抗和ESR的行为相同，随着温度的升高下降的典型曲线